全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，适用于人工智能（AI）数据中心和服务器电源（包括新型800V高压直流架构）、电动汽车充电、不间断电源电池备份设备、电池储能和太阳能逆变器。此类第四代增强型（Gen IV Plus）产品专为多千瓦级应用设计，将高效GaN技术与硅基兼容栅极驱动输入相结合，显著降低开关功率损耗，同时保留硅基FET的操作简便性。新产品提供TOL
在内华达州里诺郊外的一个沙地工业区，一排排曾经驱动电动汽车的电池组现在正在为一个小型 AI 数据中心供电。6 月 26 日，美国最大的电池回收公司之一 Redwood Materials 在其总部的新闻发布会上展示了这一系列位于煤渣块上并包裹在防水塑料中的储能模块。该活动标志着该公司新业务线 Redwood Energy 的启动，该业务线最初将重新利用（而不是回收）剩余使用寿命多年的电池，以创建可再生能源微电网。这种小型能源系统可以在较大的电网上运行或脱离，为企业或社区提供电力。Redwood Mater
随着人工智能产业的快速发展，市场对AI数据中心的需求也不断上升，智能电源和智能感知技术的领先企业安森美公司依托领先的碳化硅(SiC)技术，以功率器件、智能功率级模块等核心产品，打造了一系列针对 AI数据中心的高功率密度电源解决方案，并发布了《AI 数据中心系统方案指南》(AI Data Center System Solution Guide)，全面盖产品规格参数、典型应用场景及系统设计案例，为客户提供从器件选型到系统集成的全方位技术支持。受生成式AI、机器学习及其他数据密集型应用的推
美国芯片巨头英特尔与日本科技和投资巨头软银合作，构建了 HBM 的堆叠式 DRAM 替代品。据日经亚洲报道，这两家行业巨头成立了 Saimemory，以基于 Intel 技术和日本学术界（包括东京大学）的专利构建原型。该公司的目标是到 2027 年完成原型和大规模生产可行性评估，最终目标是在本十年结束前实现商业化。大多数 AI 处理器使用 HBM 或高带宽存储芯片，非常适合临时存储 AI GPU 处理的大量数据。然而，这些 IC 制造复杂且相对昂贵。除此之外，它们很快就会变热并且需要相对更多的功率。该合作
尼得科株式会社（以下简称“本公司”）将从2025年5月起在泰国洛加纳工厂量产面向AI数据中心的新型冷却系统产品——行间式（In Row式）大型CDU（Coolant Distribution Unit）。近年来，受GPU和CPU发热量增加趋势的影响，对更高性能且高效率冷却系统的需求不断增加。本产品是一种可以同时冷却多台装有GPU、CPU的AI服务器机架的CDU，是本公司为提高未来数据中心冷却效率而推出的新型解决方案产品。通过将本产品装配到数据中心，可以大幅减少以传统空调系统为主的冷却耗电。本产品的特点１．
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